Detalles de Producto
Con una capacidad de 480 GB, este SSD está diseñado para soportar un índice de resistencia de 4.2 PB y una escritura de la unidad por día (DWPD) de 4.7, lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren un alto rendimiento y durabilidad. La latencia secuencial de lectura y escritura se sitúa en hasta 36 µs, mientras que la latencia aleatoria para lectura y escritura alcanza hasta 103 µs y 43 µs, respectivamente.
El dispositivo opera en un rango de temperatura de 0 a 70 °C y tiene un consumo de energía de 3 W durante la escritura. Su diseño robusto permite soportar golpes de hasta 1000 G tanto en funcionamiento como fuera de operación, y presenta una vibración operativa de 2.17 G. El peso del SSD es de 200 g y sus dimensiones son 257 mm de ancho, 193 mm de profundidad y 95 mm de altura.
El rendimiento de entrada/salida se destaca con 85000 IOPS en lectura aleatoria (4KB) y 48000 IOPS en escritura aleatoria (4KB). La unidad también cumple con diversas certificaciones, incluyendo FCC, RoHS y WEEE, asegurando su conformidad con estándares de seguridad y medio ambiente.
El SSD Lenovo ThinkSystem S4620 es una opción confiable y eficiente para servidores, ofreciendo un rendimiento sólido y una alta capacidad de almacenamiento, ideal para satisfacer las demandas de aplicaciones empresariales.
Especificaciones:
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Peso y dimensiones |
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Altura |
95 mm |
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Profundidad |
193 mm |
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Peso |
200 g |
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Ancho |
257 mm |
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Otras características |
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Índice de resistencia |
4.2 PB |
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Control de energía |
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Consumo de energía (escritura) |
3 W |
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Condiciones ambientales |
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Intervalo de humedad relativa durante almacenaje |
5 – 95% |
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Intervalo de temperatura operativa |
0 – 70 °C |
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Vibración operativa |
2.17 G |
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Golpe (fuera de operación) |
1000 G |
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Golpes en funcionamiento |
1000 G |
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Características |
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Lectura aleatoria (4KB) |
85000 IOPS |
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Componente para |
servidor |
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Latencia aleatoria – escritura (hasta) |
43 µs |
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Certificación |
FCC Title 47, Part 15B, Class B EN-55035:2017 EN-55022:2006 EN-55032:2012 Low Voltage Directive (LVD) 2014/35/EU EMC Directive 2014/30/EU RoHS Directive 2011/65/EU WEEE Directive 2012/19/EU UL 60950-1, 2nd Edition, 2014-10-14 CSA C22.2 No. 60950-1-07, 2nd Edition, 2014-010 UL/CSA 62368-1, 2nd Edition AS/NZ CISPR 32:2015 AS/NZ CISPR 22:2009 +A1:2010 Taiwan BSMI EMC standard CNS 13438 Korea KCC Article 11.1 Morocco Decree # 2574-14 (EMC) Canada ICES-003 Japan VCCI China EFUP |
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Velocidad de transferencia de datos |
6 Gbit/s |
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Velocidad de escritura |
500MB/s |
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Latencia aleatoria – lectura (hasta) |
103 µs |
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Tiempo medio entre fallos |
2000000 h |
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Compatible con NVM Express (NVMe) |
No |
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Escritura de la unidad por día (DWPD) |
4.7 |
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Escritura aleatoria (4KB) |
48000 IOPS |
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Tipo de memoria |
TLC 3D NAND |
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Factor de forma |
3.5″ |
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Interfaz |
SATA III |
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Latencia secuencial – lectura (hasta) |
36 µs |
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Velocidad de lectura |
550MB/s |
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Uncorrectable Bit Error Rate (UBER) |
< 1 per 10^17 bits read |
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Latencia secuencial – escritura (hasta) |
36 µs |
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Capacidad |
480GB |
